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  • 码报2019中奖号:梁駿吾

    梁駿吾 (1933.9.18-- ) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業于武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。持“七五”、“八五”重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究?;窆銥莆萍汲曬冉幣淮?、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次。 1997年當選為中國工程院院士。

    編輯摘要

    目錄

    個人履歷/梁駿吾 編輯

    梁駿吾 梁駿吾

    □ 工作單位:中國科學院半導體研究所

    □ 所在學部:中國工程院 信息與電子工程學部

    □ 專業特長:半導體材料

    梁駿吾 (1933.9.18--) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業于武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶,解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料,在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面,將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究?;窆銥莆萍汲曬冉幣淮?、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次。

    1997年當選為中國工程院院士。

    工作簡歷/梁駿吾 編輯

    1960-1969,半導體研究所,副室主任;助研

    1970-1978,湖北宜昌半導體廠,助理研究員

    1978-,半導體研究所,研究員

    2011-受聘哈工大合約教授

    學術或專業團體任職/梁駿吾 編輯

    1984-,中國電子學會電子材料分會,副主任委員

    1991-,中國材料研究學會,理事

    1985-,中國電子學會,會士

    個人其它信息/梁駿吾 編輯

    專業領域

    半導體材料

    研究成就:

    1978-1980,解決VLSI用硅單晶,主持

    1983-1988,首創摻氮中子單晶,主持

    1985-1995,硅外延材料制備,主持

    1990-1994,生長超晶格量子阱材料,主持

    獲獎:

    1964,高純區溶硅單晶,國家科學技術委員會,科學技術成果獎,二等

    1980,16K位MOS動態隨機存儲器,中國科學院,科學技術成果獎,一等

    1988,摻氮中子嬗變硅單晶,中國科學院,科學技術進步獎,一等

    1985,LPE GaAlAs/GaAs異質結構缺陷研究,晶體生長雜志,

    1990,半導體,化工出版社,

    1991,水平式外延系統的計算機模擬,電子學報19,30,

    成果

    1、減壓薄層硅外延片

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